老美格局Close，国产半导体迎风起

AI 人工智能时代，中美 “军备竞赛”已跃然纸上。

6 月 12 日消息，据知情人士爆料称，美国拜登政府正在考虑进一步限制中国获得用于人工智能(AI)的芯片技术，这次把目标锁定在了一种刚刚进入市场的，用于制造尖端芯片的全环栅极晶体管（Gate-all-around，GAA）新硬件技术。

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同时还有消息称，美国还将限制高带宽内存（HBM）技术的对华出口。

AAG

全环绕栅极 （GAA） 是一种晶体管架构。

为了克服FinFET的平面架构局限性，GAA 采用 FinFET 设计并将其侧向转动，使通道是水平，而不是垂直，以更复杂的3D架构方式堆栈，预计电流通道将全部四个侧面，而不是三个方向的栅极包围，从而减少漏电流。

由于包裹所有这些通道的形状，它被称为全环绕栅极（GAA）。

GAA晶体管技术如此被置于台面，主要是其能进一步提升晶体管密度，四面环绕栅极的环绕通道也可以更好地控制晶体管开关，同时支持晶体管缩放，具有更低的可变性、更高的性能和更低的功耗。

但该技术目前仅用于最尖端的工艺节点。

目前，只有三星在其 3nm 节点上生产了这项技术。

英特尔将在其 Intel 20A 节点中采用 GAA，台积电则计划在 2nm 制程上采用 GAA 技术。

据三星称，MBCFET的推出有望“节省50%的功率，提高30%的性能，并减少45%的面积”。

消息称，英伟达、英特尔、AMD等公司及其制造合作伙伴台积电、三星电子都希望在明年开始大规模生产采用GAA设计的半导体。

进一步封锁中国发展AI芯片

知情人士透露，美国的目标是让中国更难组装构建和运行AI模型所需的复杂计算系统，并在技术商业化之前封锁尚处于萌芽发展阶段的技术。

美国先前已对中国出售先进半导体和芯片制造设备和工具施加许多限制。

尽管如此，拜登政府仍在与时间赛跑，要在11月总统选举之前发布新的规定，并在优先考虑哪些技术方面进行权衡，尚未有任何加强限制条件的官方消息。

目前还不清楚拜登政府官员们何时会做出最终决定，相关的传闻都是不具名的，所以真实性依然存疑。

不过，对HBM（GPU显存一般采用GDDR或者HBM两种方案…

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