老美格局Close，国产半导体迎风起

AI 人工智能时代，中美 “军备竞赛”已跃然纸上。

“6 月 12 日消息，据知情人士爆料称，美国拜登政府正在考虑进一步限制中国获得用于人工智能(AI)的芯片技术，这次把目标锁定在了一种刚刚进入市场的，用于制造尖端芯片的全环栅极晶体管（Gate-all-around，GAA）新硬件技术。

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同时还有消息称，美国还将限制高带宽内存（HBM）技术的对华出口。

AAG

全环绕栅极 (GAA) 是一种晶体管架构。为了克服FinFET的平面架构局限性，GAA 采用 FinFET 设计并将其侧向转动，使通道是水平，而不是垂直，以更复杂的3D架构方式堆栈，预计电流通道将全部四个侧面，而不是三个方向的栅极包围，从而减少漏电流。由于包裹所有这些通道的形状，它被称为全环绕栅极（GAA）。GAA晶体管技术如此被置于台面，主要是其能进一步提升晶体管密度，四面环绕栅极的环绕通道也可以更好地控制晶体管开关，同时支持晶体管缩放，具有更低的可变性、更高的性能和更低的功耗。但该技术目前仅用于最尖端的工艺节点。

目前，只有三星在其 3nm 节点上生产了这项技术。英特尔将在其 Intel 20A 节点中采用 GAA，台积电则计划在 2nm 制程上采用 GAA 技术。

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经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然可以通过三维空间连接电极、芯粒等方式提高集成度，但是关键的晶体管始终被限制在集成电路最底层，无法获得厚度方向的自由度。新材料或颠覆性原理因此成为备受关注的重要突破点。

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